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中文名稱：硅片表面平整度測(cè)試方法

英文名稱：Testing methods for surface flatness of silicon slices

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 6621-2009

標(biāo)準(zhǔn)類型CN

發(fā)布日期：2009-10-30

實(shí)施日期：2010-6-1

摘要：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用電容位移傳感器測(cè)定硅拋光片平整度的方法,切割片、研磨片、腐蝕片也可參考此方法。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)直徑76mm、100mm、125mm、150mm、200mm,電阻率不大于200Ω.cm厚度不大于1000?m的硅拋光片的表面平整度和直觀描述硅片表面的輪廓形貌。

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